近日，种子基金投资企业合肥中恒微半导体有限公司（以下简称“中恒微”）发布了最新产品1200V-800A的IGBT功率半桥模块2B800M120S1P，进一步扩大其62mm封装IGBT模块阵容，在不增加封装尺寸下提高了功率密度，额定电流级别上领先市场上同类产品，相比1200V-600A模块，输出功率提升30%。

　　大功率IGBT模块的开关损耗带来的温升是影响模块可靠性的重要因素。中恒微在有限的陶瓷基板上不仅集成了高功率密度，保证了电流输出能力，更极大优化了模块散热设计，降低了模块的瞬态结壳热阻，相对于市场上同样封装600A模块，瞬态热阻降低了55%，因具有良好的散热性能，使得其在加大电流和频率时，保证其芯片工作结温在合理范围内，提高了模块的稳定性与可靠性。

　　2B800M120S1P产品采用功率端子超声焊接、全焊片工艺等方式，确保模块的高可靠性，增大了陶瓷基板面积，优化了大功率模块的散热问题，且具备优良的电气性能。产品可让客户在不改变PCB（印制电路板）和电路情况下，直接替换老产品，从而在最短时间内达到输出功率和系统效率提升的目的，广泛适用于变频器、光伏、中/大功率电机驱动等应用领域。